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[发明专利]半导体-CN201780030802.9有效
发明人： P·哈约兹;D·克尔布莱因 -专利权人： CLAP有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：base:Sub>30亚杂芳基；式(I)；R1及R2中的至少一个为式(II)基团；及其作为有机半导体在有机器件
半导体

[外观设计]半导体-CN201630640778.9有效
发明人：许建东 -专利权人：天津市职业大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称半导体。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于收音机。3．本外观设计产品的设计要点形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
半导体

[发明专利]半导体装置-CN201810972334.3有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210852451.2在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹;梁顺鑫;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：示例性形成半导体结构的方法包括在半导体台面上方形成具有半导体层堆叠件的半导体鳍。半导体堆叠件包括第一半导体层、第二半导体层，并且第一半导体层位于半导体台面和第二半导体层之间。该方法还包括形成与半导体台面相邻的隔离部件以及沿着半导体层堆叠件的侧壁形成半导体保护层。半导体保护层在半导体台面的顶表面之下延伸，并且隔离部件的部分位于半导体保护层和半导体台面的侧壁之间。该方法还包括在沟道区域中，用栅极堆叠件替换半导体鳍的第一半导体层和半导体保护层。隔离部件的部分位于栅极堆叠件和半导体台面的侧壁之间。本发明的实施例还提供了半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]包括半导体本体的二极管-CN201910455223.X在审
发明人： B·科尼尔;P·斯托贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括半导体本体的二极管，半导体本体具有第一和第二半导体本体主侧面，半导体本体具有：第一半导体区；第二半导体区，其在半导体本体的内部区域中布置在第一半导体区上且不延伸远至半导体本体的半导体本体边缘；第三半导体区，其布置在第二半导体区上且具有比第二半导体区更高的掺杂浓度；第四半导体区，其在半导体本体边缘区域中布置在第一半导体区上且从第二半导体区在朝向半导体本体边缘的方向上延伸远至半导体本体边缘。半导体本体具有从形成第二半导体本体主侧表面区域的第三半导体区的平面外表面开始并且到达远至半导体本体边缘的切口，其沿着半导体本体边缘延伸，第二、第三和第四半导体区具有界定切口的相应的外部界面。
半导体本体半导体区平面外表面边缘区域边缘延伸内部区域主侧表面二极管主侧面界定延伸掺杂外部

[发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法-CN201711347764.8在审
发明人：伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：该晶闸管具有半导体本体，半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区，半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区，半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区，半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区，第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区，第五半导体区与半导体本体边缘平行布置，半导体本体包含第一凹槽，其源自第二半导体本体主侧的第一表面，平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。
半导体本体半导体区导体类型晶闸管第一表面平行布置边缘区延伸平行伸展制造

[发明专利]具有半导体本体的晶闸管-CN201711351368.2有效
发明人：伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 -专利权人：赛米控电子股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有半导体本体的晶闸管，晶闸管具有第一半导体本体主侧、第二半导体本体主侧及围绕半导体本体并连接第一和第二半导体本体主侧的半导体本体边缘，半导体本体具有：第一半导体区，第一半导体区在半导体本体边缘区域中延伸直到第二半导体本体主侧，第一半导体区的第二外表面形成半导体本体边缘，第一半导体区的邻接半导体本体边缘的第三外表面形成第二半导体本体主侧的第一表面区域；布置在第一半导体区上并且不延伸到半导体本体边缘的第二半导体区；布置在第二半导体区上的第三半导体区和布置在第三半导体区中的第四半导体区；从第二半导体本体主侧的第一表面出现且平行于半导体本体边缘伸展并到达第二半导体区的凹部。
具有半导体本体晶闸管

[发明专利]半导体装置-CN202010730923.8在审
发明人：冈本隼人;陈则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供能够使半导体装置的性能提高的技术。半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3及第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、电极。第3半导体区域位于第2半导体区域之上，杂质浓度比第2半导体区域高。第4半导体区域与第2半导体区域相比杂质浓度高，第4半导体区域在俯视观察时位于与第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与第2半导体区域接触。第5半导体区域位于第2半导体区域之上，在俯视观察时位于第3及第4半导体区域之间。电极不与第4及第5半导体区域接触而是与第3半导体区域接触。
半导体装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510195898.7在审
发明人：伊牧 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含第一半导体层、绝缘栅结构、第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区。绝缘栅结构形成于沟槽形态中，此沟槽形态嵌入第一半导体层中。第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区形成于第一半导体层中。第二半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。第二半导体区形成于轻掺杂半导体区上，轻掺杂半导体区形成于第一半导体区及绝缘栅结构之间，且轻掺杂半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201310325362.3有效
发明人：吉川俊英 -专利权人：创世舫电子日本株式会社
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层；形成在第三半导体层上的第四半导体层；形成在第四半导体层上的栅电极；以及形成为与第二半导体层接触的源电极和漏电极第三半导体层和第四半导体层形成在栅极正下方的区域中，第四半导体层由p型半导体材料形成，并且第二半导体层和第三半导体层由AlGaN形成，以及第三半导体层具有比第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510092349.7无效
发明人：崔秀明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明关于半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，设置在第一半导体区域表面；绝缘层，设置在第一及第二半导体区域上；配线层，设置在绝缘层上，与第二半导体区域电连接；第三半导体区域，设置在绝缘层下，与第一半导体区域相接；第四半导体区域，由第四与第二半导体区域夹隔第一半导体区域；第五半导体区域，设置在第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第一半导体区域高；第六半导体区域，设置在第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第四半导体区域低；以及第七半导体区域，由第七与第六半导体区域夹隔第一半导体区域，第七半导体区域杂质浓度比第一半导体区域高，且连接于配线层。
半导体装置

[实用新型]第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件-CN201721780172.0有效
发明人：王子昊;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件，其中半导体器件，包括第一半导体组件，以及第二半导体组件；所述第一半导体组件与所述第二半导体组件层叠设置，且，所述第一半导体组件中的半导体功能层与所述第二半导体组件中的键合区结构键合连接通过将第一半导体组件与第二半导体组件层叠设置且第一半导体组件中的半导体功能层与第二半导体组件中的键合区键合连接，该结构的半导体器件能够避免半导体功能层与光波导结构精准对位的问题，降低了半导体器件的生产工艺难度
半导体组件半导体器件半导体功能层叠设置键合区半导体技术领域生产工艺难度本实用新型光波导结构键合连接结构键合精准对位

[发明专利]半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法-CN201910404765.4在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法。半导体封装包括半导体晶粒、包封体以及包封体穿孔。半导体晶粒包括半导体基底、内连线层与半导体贯孔。半导体基底具有彼此相对的主动面与背侧表面。内连线层设置于半导体基底的主动面上。半导体贯孔由半导体基底的背侧表面至半导体基底的主动面而贯穿半导体基底。包封体侧向包封半导体晶粒。包封体穿孔贯穿包封体。
半导体封装堆叠及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510296856.2有效
发明人：洪洪;矶部康裕;大麻浩平;吉冈启 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在第2半导体层上，电阻比第2半导体层大；第4半导体层，设置在第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在第4半导体层上，包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780031354.4在审
发明人：大野克巳;平野兼史;根岸将人;铃木正人;吉野达郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包含：准备包含第1半导体层和第2半导体层的半导体基板的步骤和从第1半导体层侧对半导体基板照射激光从而将半导体基板切片为半导体芯片的步骤。第1半导体层包含对激光透明的半导体材料。第2半导体层包含对激光不透明的半导体材料。关于激光，照射使第1半导体层的半导体材料变化为对激光不透明的强度的激光。
半导体层激光半导体材料半导体基板半导体装置不透明照射半导体芯片透明的切片制造

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